Thorlabs 硅雪崩光電探測器，光纖耦合型

特性

• 波長范圍從400到1000 nm

• 通過溫度補(bǔ)償在18至28 °C范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性≤±3%的M因子

• M因子從10到100的連續(xù)可變?cè)鲆?/p>

• 使用M12 x 0.5螺紋光纖接頭轉(zhuǎn)接件(下面有售)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固的光纖耦合

• 使用8-32 / M4 x 0.7通用螺紋孔從三個(gè)方向安裝接桿

• 包含LDS12B電源

Thorlabs提供光敏范圍從400到1000 nm的光纖耦合型硅雪崩光電探測器(APD)。這個(gè)帶溫度補(bǔ)償?shù)墓怆娞綔y器具有可調(diào)增益以及從DC到400 MHz的可用帶寬。它還具有M12 x 0.5外螺紋，在使用下面銷售的光纖接頭轉(zhuǎn)接件時(shí)能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固的光纖耦合。由于相比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測器具有更高的靈敏度和更低的噪聲，它非常適合光功率水平較低的應(yīng)用。

一般而言，雪崩光電二極管利用內(nèi)部增益機(jī)制增加靈敏度。在二極管上施加高反向偏壓，以此形成強(qiáng)電場。當(dāng)一個(gè)入射光子產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴時(shí)，電場使電子加速，導(dǎo)致由碰撞電離產(chǎn)生次級(jí)電子。這種電子雪崩能產(chǎn)生幾百倍的增益因子，也叫做倍增因子M，它和反向偏壓以及溫度相關(guān)的。一般而言，M因子隨溫度降低而增大，隨溫度升高而減小。類似地，M因子將在反向偏置電壓升高時(shí)增大，在反向偏置電壓降低時(shí)減小。

APD431A光電探測器提供從DC到400 MHz的可用帶寬。它有一個(gè)集成的熱敏電阻，可通過調(diào)節(jié)雪崩光電二極管的偏壓在23 ± 5 °C范圍內(nèi)維持±3%或更好的M因子穩(wěn)定性。它還具有可變的增益，通過外殼右側(cè)的旋鈕控制，能使M因子從10到100變化。

由于機(jī)械和電學(xué)連接的方向，加上緊湊的設(shè)計(jì)，APD431A探測器能安裝在狹窄的空間中。三個(gè)通用的8-32 / M4 x 0.7安裝孔進(jìn)一步確保它能輕松地集成在復(fù)雜的機(jī)械裝置中。

光纖耦合和機(jī)械轉(zhuǎn)接件
APD431A光電探測器設(shè)計(jì)為已有的APD430A自由空間雪崩光電探測器提供穩(wěn)固的光纖耦合功能。它有一個(gè)M12 x 0.5外螺紋法蘭，兼容我們的M12 x 0.5螺紋光纖接頭轉(zhuǎn)接件(下面有售)，能快速實(shí)現(xiàn)光纖耦合，并具有高可重復(fù)性。轉(zhuǎn)接件適合單模光纖以及200 μm纖芯的多模光纖；但它們也能用于所有光纖，不過耦合效率會(huì)有所降低。這些轉(zhuǎn)接件可用于FC/APC、FC/PC、LC/PC或SC/PC光纖接頭，還有用于350 - 700 nm或600 - 1050 nm的鍍膜。

光纖耦合硅雪崩光電探測器

Thorlabs 硅雪崩光電探測器，光纖耦合型